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产品规格

封装/外壳	PowerPAK? SO-8 双
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TrenchFET?
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	PowerPAK? SO-8 Dual
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	21nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	21 毫欧 @ 8A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	8A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	900pF @ 15V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.8V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	17.8W
关键词

产品资料

数据列表	SI7270DP-T1-GE3
标准包装	3,000

封装/外壳 PowerPAK? SO-8 双  Vishay Siliconix 封装/外壳 PowerPAK? SO-8 双  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 PowerPAK? SO-8 双  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 PowerPAK? SO-8 双   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?   包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 PowerPAK? SO-8 Dual  Vishay Siliconix 供应商器件封装 PowerPAK? SO-8 Dual  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerPAK? SO-8 Dual  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerPAK? SO-8 Dual   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 8A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 8A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 8A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 8A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Vishay Siliconix FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 900pF @ 15V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 900pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 900pF @ 15V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 900pF @ 15V   FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 17.8W  Vishay Siliconix 功率 - 最大值 17.8W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 17.8W  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 17.8W