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SI7413DN-T1-GE3
SI7413DN-T1-GE3 -
MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SI7413DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7413DN-T1-GE3-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 20V 8.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SI7413DN-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
PowerPAK? 1212-8
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
PowerPAK? 1212-8
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
51nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
15 毫欧 @ 13.2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8.4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 400μA
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
SI7413DN
标准包装
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封装/外壳 PowerPAK? 1212-8
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Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 PowerPAK? 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 表面贴装
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 TrenchFET?
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchFET?
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包装 带卷(TR)
Vishay Siliconix 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
零件状态 过期
Vishay Siliconix 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8
Vishay Siliconix 供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8
技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±8V
Vishay Siliconix Vgs(最大值) ±8V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 15 毫欧 @ 13.2A,4.5V
Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 15 毫欧 @ 13.2A,4.5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 400μA
Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 400μA
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功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
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Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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