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SI7615ADN-T1-GE3
SI7615ADN-T1-GE3 -
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SI7615ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7615ADN-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SI7615ADN-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
PowerPAK? 1212-8
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PowerPAK? 1212-8
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
183nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.4 毫欧 @ 20A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
35A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5590pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
3.7W(Ta),52W(Tc)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
Si7615ADN
标准包装
1
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SI7615ADN-T1-GE3CT
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