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SI7852ADP-T1-GE3 - 

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Vishay Siliconix SI7852ADP-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI7852ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
描述：
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI7852ADP-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  PowerPAK? SO-8  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAK? SO-8  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  45nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  17 毫欧 @ 10A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  8V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  30A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1825pF @ 40V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  5W（Ta），62.5W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  80V  
关键词         

产品资料
数据列表 SI7852ADP
标准包装 1
其它名称 SI7852ADP-T1-GE3CT

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SI7852ADP-T1-GE3
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MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI7852ADP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI7852ADP-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7852ADP-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI7852ADP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant

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SI7852ADP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 80V, 30A, SOIC

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型号 制造商 描述 操作
SI7852ADP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 80 V 0.017 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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  美国6号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI7852ADP-T1-GE3.
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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SI7852ADP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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Vishay Siliconix - SI7852ADP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SI7852ADP-T1-GE3
仓库库存编号：SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7852ADP-T1-GE3CT <br>

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SI7852ADP-T1-GE3
VISHAY SI7852ADP-T1-GE3		1772416

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 30A, SOIC

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SI7852ADP-T1-GE3|VISHAYSI7852ADP-T1-GE3
VISHAY		80 V 30 A 17 Mohm 漏源导通电阻 当10 V时 30.5 nC Qg PPAK SO-8
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI7852ADP-T1-GE3|VISHAYSI7852ADP-T1-GE3
VISHAY		80 V 30 A 17 Mohm 漏源导通电阻 当10 V时 30.5 nC Qg PPAK SO-8
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SI7852ADP-T1-GE3|Vishay SiliconixSI7852ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 80V 30A PPAK 8SOIC
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Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 80V 30A PPAK 8SOIC
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