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产品规格

封装/外壳	PowerPAK? 1212-8 双
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TrenchFET?
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	PowerPAK? 1212-8 Dual
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	15nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	51 毫欧 @ 5.7A，4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.2A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	1.3W
关键词

产品资料

数据列表	SI7911DN
标准包装	1
其它名称	SI7911DN-T1-E3CT

封装/外壳 PowerPAK? 1212-8 双  Vishay Siliconix 封装/外壳 PowerPAK? 1212-8 双  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 PowerPAK? 1212-8 双  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 PowerPAK? 1212-8 双   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?   包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Vishay Siliconix 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8 Dual  Vishay Siliconix 供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8 Dual  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8 Dual  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8 Dual   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 51 毫欧 @ 5.7A，4.5V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 51 毫欧 @ 5.7A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 51 毫欧 @ 5.7A，4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 51 毫欧 @ 5.7A，4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Vishay Siliconix FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 1.3W  Vishay Siliconix 功率 - 最大值 1.3W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.3W  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.3W