SI7946ADP-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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SI7946ADP-T1-GE3 - 

DUAL N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFE

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Vishay Siliconix SI7946ADP-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI7946ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7946ADP-T1-GE3-ND
描述：
DUAL N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFE
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 7.7A (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI7946ADP-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  PowerPAK? SO-8 双  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchFET?  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAK? SO-8 Dual  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  186 毫欧 @ 3A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  7.7A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  230pF @ 75V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  150V  
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产品资料
数据列表 SI7946ADP
标准包装 3,000

SI7946ADP-T1-GE3相关搜索

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