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SI8416DB-T1-GE3 - 

MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

  • 已过时的产品。
Vishay Siliconix SI8416DB-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI8416DB-T1-GE3
仓库库存编号:
SI8416DB-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 8V 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-microfoot
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI8416DB-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-UFBGA  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  6-microfoot  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±5V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  26nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  23 毫欧 @ 1.5A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  1.2V,4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  16A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1470pF @ 4V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  800mV @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  2.77W(Ta),13W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  8V  
关键词         

产品资料
数据列表 SI8416DB
标准包装 1
其它名称 SI8416DB-T1-GE3CT
SI8416DBT1GE3

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