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SI8466EDB-T2-E1
SI8466EDB-T2-E1 -
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SI8466EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8466EDB-T2-E1CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SI8466EDB-T2-E1产品属性
产品规格
封装/外壳
4-UFBGA,WLCSP
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
4-Microfoot
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±5V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
13nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
43 毫欧 @ 2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
710pF @ 4V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
780mW(Ta),1.8W(Tc)
漏源电压(Vdss)
8V
关键词
产品资料
数据列表
SI8466EDB
标准包装
1
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SI8466EDB-T2-E1CT
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