SI8466EDB-T2-E1,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SI8466EDB-T2-E1 - 

MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT

Vishay Siliconix SI8466EDB-T2-E1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI8466EDB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8466EDB-T2-E1CT-ND
描述：
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 780mW（Ta），1.8W（Tc） 4-Microfoot
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SI8466EDB-T2-E1产品属性


产品规格
  封装/外壳  4-UFBGA，WLCSP  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  4-Microfoot  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±5V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  13nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  43 毫欧 @ 2A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  1.2V，4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  -  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  710pF @ 4V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  700mV @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  780mW（Ta），1.8W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  8V  
关键词         

产品资料
数据列表 SI8466EDB
标准包装 1
其它名称 SI8466EDB-T2-E1CT

SI8466EDB-T2-E1您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SI8466EDB-T2-E1相关搜索

封装/外壳 4-UFBGA，WLCSP  Vishay Siliconix 封装/外壳 4-UFBGA，WLCSP  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 4-UFBGA，WLCSP  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 4-UFBGA，WLCSP   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET?   包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 4-Microfoot  Vishay Siliconix 供应商器件封装 4-Microfoot  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 4-Microfoot  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 4-Microfoot   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±5V  Vishay Siliconix Vgs（最大值） ±5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±5V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 4.5V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 43 毫欧 @ 2A，4.5V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 43 毫欧 @ 2A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 43 毫欧 @ 2A，4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 43 毫欧 @ 2A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V  Vishay Siliconix 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 4V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 4V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 4V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 4V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA   功率耗散（最大值） 780mW（Ta），1.8W（Tc）  Vishay Siliconix 功率耗散（最大值） 780mW（Ta），1.8W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 780mW（Ta），1.8W（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 780mW（Ta），1.8W（Tc）   漏源电压（Vdss） 8V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 8V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 8V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号