SI8900EDB-T2-E1,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SI8900EDB-T2-E1 - 

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

  • 非库存货
Vishay Siliconix SI8900EDB-T2-E1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI8900EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8900EDB-T2-E1TR-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot? CSP (2x5)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI8900EDB-T2-E1产品属性


产品规格
  封装/外壳  10-UFBGA,CSPBGA  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchFET?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  10-Micro Foot? CSP(2x5)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  -  
  FET 类型  2 N 沟道(双)共漏  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  5.4A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 1.1mA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  1W  
关键词         

产品资料
数据列表 SI8900EDB
标准包装 3,000
其它名称 SI8900EDB-T2-E1TR

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