SIA449DJ-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
SIA449DJ-T1-GE3
SIA449DJ-T1-GE3 -
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SIA449DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA449DJ-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
SIA449DJ-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
PowerPAK? SC-70-6
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PowerPAK? SC-70-6 单
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
72nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
20 毫欧 @ 6A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2140pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
3.5W(Ta),19W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
SIA449DJ
标准包装
1
其它名称
SIA449DJ-T1-GE3CT
SIA449DJ-T1-GE3您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 410mA 580mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMG1026UV-7
仓库库存编号:
DMG1026UV-7DICT-ND
别名:DMG1026UV-7DICT
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA483DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA483DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA483DJ-T1-GE3CT
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 30A, 40A 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
SIZ340DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ340DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ340DT-T1-GE3CT
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA453EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA453EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA453EDJ-T1-GE3CT
无铅
搜索
Micro Commercial Co
DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 12A TO-277-3
型号:
MBR12U100L-TP
仓库库存编号:
MBR12U100L-TPMSCT-ND
别名:MBR12U100L-TPMSCT
无铅
搜索
SIA449DJ-T1-GE3相关搜索
封装/外壳 PowerPAK? SC-70-6
Vishay Siliconix 封装/外壳 PowerPAK? SC-70-6
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 PowerPAK? SC-70-6
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 PowerPAK? SC-70-6
制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 TrenchFET?
Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchFET?
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchFET?
包装 剪切带(CT)
Vishay Siliconix 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Vishay Siliconix 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PowerPAK? SC-70-6 单
Vishay Siliconix 供应商器件封装 PowerPAK? SC-70-6 单
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? SC-70-6 单
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? SC-70-6 单
技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±12V
Vishay Siliconix Vgs(最大值) ±12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 6A,10V
Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 6A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 6A,10V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 6A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
Vishay Siliconix 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
FET 类型 P 沟道
Vishay Siliconix FET 类型 P 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2140pF @ 15V
Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2140pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2140pF @ 15V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2140pF @ 15V
FET 功能 -
Vishay Siliconix FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),19W(Tc)
Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),19W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),19W(Tc)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),19W(Tc)
漏源电压(Vdss) 30V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号