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SIA910EDJ-T1-GE3 - 

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

Vishay Siliconix SIA910EDJ-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SIA910EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIA910EDJ-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  PowerPAK? SC-70-6 双  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAK? SC-70-6 双  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  16nC @ 8V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  28 毫欧 @ 5.2A，4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  4.5A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  455pF @ 6V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  12V  
  功率 - 最大值  7.8W  
关键词         

产品资料
数据列表 SIA910EDJ
标准包装 1
其它名称 SIA910EDJ-T1-GE3CT

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