SIA950DJ-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SIA950DJ-T1-GE3 - 

MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6

  • 已过时的产品。
Vishay Siliconix SIA950DJ-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SIA950DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA950DJ-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 190V 950mA 7W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIA950DJ-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  PowerPAK? SC-70-6 双  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  LITTLE FOOT?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PowerPAK? SC-70-6 双  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  4.5nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3.8 欧姆 @ 360mA,4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  950mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  90pF @ 100V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.4V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  190V  
  功率 - 最大值  7W  
关键词         

产品资料
数据列表 SIA950DJ
标准包装 1
其它名称 SIA950DJ-T1-GE3CT

SIA950DJ-T1-GE3相关搜索

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