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SIE806DF-T1-E3 - 

MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK

  • 已过时的产品。
Vishay Siliconix SIE806DF-T1-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SIE806DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE806DF-T1-E3CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIE806DF-T1-E3产品属性


产品规格
  封装/外壳  10-PolarPAK?(L)  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  10-PolarPAK?(L)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  250nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.7 毫欧 @ 25A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  60A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  13000pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  5.2W(Ta),125W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 SIE806DF
标准包装 1
其它名称 SIE806DF-T1-E3CT
SIE806DFT1E3

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