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产品规格

封装/外壳	10-PolarPAK?（SH）
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TrenchFET?
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	10-PolarPAK?（SH）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	41nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	130 毫欧 @ 4.1A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	18.3A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1200pF @ 100V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	5.2W（Ta），104W（Tc）
漏源电压（Vdss）	200V
关键词

产品资料

数据列表	SIE836DF
标准包装	3,000

封装/外壳 10-PolarPAK?（SH）  Vishay Siliconix 封装/外壳 10-PolarPAK?（SH）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 10-PolarPAK?（SH）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 10-PolarPAK?（SH）   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET?   包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Vishay Siliconix 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 10-PolarPAK?（SH）  Vishay Siliconix 供应商器件封装 10-PolarPAK?（SH）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 10-PolarPAK?（SH）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 10-PolarPAK?（SH）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  Vishay Siliconix Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 130 毫欧 @ 4.1A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 130 毫欧 @ 4.1A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 130 毫欧 @ 4.1A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 130 毫欧 @ 4.1A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Siliconix 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18.3A（Tc）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18.3A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18.3A（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18.3A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 100V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 100V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 100V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 5.2W（Ta），104W（Tc）  Vishay Siliconix 功率耗散（最大值） 5.2W（Ta），104W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 5.2W（Ta），104W（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 5.2W（Ta），104W（Tc）   漏源电压（Vdss） 200V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 200V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 200V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 200V