SIHH14N60E-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SIHH14N60E-T1-GE3 - 

MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8

Vishay Siliconix SIHH14N60E-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SIHH14N60E-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH14N60E-T1-GE3CT-ND
描述：
MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 147W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SIHH14N60E-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAK? 8 x 8  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  82nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  255 毫欧 @ 7A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  16A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1416pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  147W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 SIHH14N60E
标准包装 1
其它名称 SIHH14N60E-T1-GE3CT

SIHH14N60E-T1-GE3您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SIHH14N60E-T1-GE3相关搜索

封装/外壳 8-PowerTDFN  Vishay Siliconix 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Vishay Siliconix 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PowerPAK? 8 x 8  Vishay Siliconix 供应商器件封装 PowerPAK? 8 x 8  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? 8 x 8  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? 8 x 8   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  Vishay Siliconix Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 255 毫欧 @ 7A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 255 毫欧 @ 7A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 255 毫欧 @ 7A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 255 毫欧 @ 7A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Siliconix 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1416pF @ 100V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1416pF @ 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1416pF @ 100V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1416pF @ 100V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 147W（Tc）  Vishay Siliconix 功率耗散（最大值） 147W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 147W（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 147W（Tc）   漏源电压（Vdss） 600V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 600V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号