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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	PowerPAK? SO-8
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
系列	TrenchFET?
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	PowerPAK? SO-8
技术	MOSFET（金属氧化物）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	32nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	8 毫欧 @ 20A，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	46.5A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1400pF @ 30V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	60V
关键词

产品资料

数据列表	SIJ462DP
标准包装	1
其它名称	SIJ462DP-T1-GE3CT

封装/外壳 PowerPAK? SO-8  Vishay Siliconix 封装/外壳 PowerPAK? SO-8  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 PowerPAK? SO-8  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 PowerPAK? SO-8   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET?   包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Vishay Siliconix 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 PowerPAK? SO-8  Vishay Siliconix 供应商器件封装 PowerPAK? SO-8  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? SO-8  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? SO-8   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 20A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 20A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 20A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 20A，10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 46.5A（Tc）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 46.5A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 46.5A（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 46.5A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 30V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 30V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 60V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V