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产品规格

封装/外壳	PowerPAK? SO-8
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TrenchFET?
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	PowerPAK? SO-8
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	90nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	2 毫欧 @ 20A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	60A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4240pF @ 20V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250μA
功率耗散（最大值）	6.25W（Ta），104W（Tc）
漏源电压（Vdss）	40V
关键词

产品资料

数据列表	SiR640ADP
标准包装	1
其它名称	SIR640ADP-T1-GE3CT

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