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SIR836DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3 -
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SIR836DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR836DP-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 3.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SO-8
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
SIR836DP-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
PowerPAK? SO-8
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PowerPAK? SO-8
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
18nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
19 毫欧 @ 10A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
21A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
600pF @ 20V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
3.9W(Ta),15.6W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
SIR836DP
标准包装
1
其它名称
SIR836DP-T1-GE3CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
SI7288DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7288DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7288DP-T1-GE3CT
无铅
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详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
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Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
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