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产品规格

封装/外壳	PowerPAK? 1212-8S
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TA）
系列	ThunderFET?
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	14.5nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	58 毫欧 @ 10A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	7.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	20.2A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	420pF @ 75V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.2V @ 250μA
功率耗散（最大值）	52W（Tc）
漏源电压（Vdss）	150V
关键词

产品资料

数据列表	SIS888DN
标准包装	1
其它名称	SIS888DN-T1-GE3CT

封装/外壳 PowerPAK? 1212-8S  Vishay Siliconix 封装/外壳 PowerPAK? 1212-8S  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 PowerPAK? 1212-8S  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 PowerPAK? 1212-8S   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TA）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TA）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TA）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TA）   系列 ThunderFET?  Vishay Siliconix 系列 ThunderFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 ThunderFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 ThunderFET?   包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）  Vishay Siliconix 供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Vishay Siliconix Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 58 毫欧 @ 10A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 58 毫欧 @ 10A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 58 毫欧 @ 10A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 58 毫欧 @ 10A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 7.5V，10V  Vishay Siliconix 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 7.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 7.5V，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 7.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 75V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 75V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 75V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 75V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.2V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.2V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.2V @ 250μA   功率耗散（最大值） 52W（Tc）  Vishay Siliconix 功率耗散（最大值） 52W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 52W（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 52W（Tc）   漏源电压（Vdss） 150V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 150V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 150V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 150V