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SIZ320DT-T1-GE3
SIZ320DT-T1-GE3 -
DUAL N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
新产品
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SIZ320DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ320DT-T1-GE3CT-ND
描述:
DUAL N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SIZ320DT-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerWDFN
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerPAIR?,TrenchFET?
零件状态
在售
供应商器件封装
8-Power33(3x3)
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
漏源电压(Vdss)
25V
功率 - 最大值
16.7W,31W
关键词
产品资料
数据列表
SIZ320DT
标准包装
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SIZ320DT-T1-GE3CT
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封装/外壳 8-PowerWDFN
Vishay Siliconix 封装/外壳 8-PowerWDFN
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN
制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 PowerPAIR?,TrenchFET?
Vishay Siliconix 系列 PowerPAIR?,TrenchFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 PowerPAIR?,TrenchFET?
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 PowerPAIR?,TrenchFET?
零件状态 在售
Vishay Siliconix 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 8-Power33(3x3)
Vishay Siliconix 供应商器件封装 8-Power33(3x3)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-Power33(3x3)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-Power33(3x3)
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
Vishay Siliconix FET 类型 2 个 N 沟道(双)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 标准
Vishay Siliconix FET 功能 标准
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
漏源电压(Vdss) 25V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 25V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 25V
功率 - 最大值 16.7W,31W
Vishay Siliconix 功率 - 最大值 16.7W,31W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 16.7W,31W
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 16.7W,31W
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