SIZ918DT-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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SIZ918DT-T1-GE3 - 

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Vishay Siliconix SIZ918DT-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SIZ918DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ918DT-T1-GE3CT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SIZ918DT-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-PowerPair?  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-PowerPair?  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  21nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  12 毫欧 @ 13.8A，10V  
  FET 类型  2 个 N 通道（半桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  16A，28A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  790pF @ 15V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.2V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  29W，100W  
关键词         

产品资料
数据列表 SIZ918DT
标准包装 1
其它名称 SIZ918DT-T1-GE3CT

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