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SIZ988DT-T1-GE3
SIZ988DT-T1-GE3 -
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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制造商：
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号：
SIZ988DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ988DT-T1-GE3-ND
描述：
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair?
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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SIZ988DT-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerWDFN
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
TrenchFET?
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
供应商器件封装
8-PowerPair?
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A（Tc），60A（Tc）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
功率 - 最大值
20.2W，40W
关键词
产品资料
数据列表
SIZ988DT
标准包装
3,000
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封装/外壳 8-PowerWDFN
Vishay Siliconix 封装/外壳 8-PowerWDFN
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN
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制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 TrenchFET?
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?
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包装 带卷（TR）
Vishay Siliconix 包装 带卷（TR）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）
零件状态 在售
Vishay Siliconix 零件状态 在售
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售
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供应商器件封装 8-PowerPair?
Vishay Siliconix 供应商器件封装 8-PowerPair?
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-PowerPair?
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FET 类型 2 个 N 沟道（双）
Vishay Siliconix FET 类型 2 个 N 沟道（双）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Tc），60A（Tc）
Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Tc），60A（Tc）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Tc），60A（Tc）
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FET 功能 标准
Vishay Siliconix FET 功能 标准
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 30V
Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 30V
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V
功率 - 最大值 20.2W，40W
Vishay Siliconix 功率 - 最大值 20.2W，40W
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 20.2W，40W
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 20.2W，40W
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