SIZF906DT-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SIZF906DT-T1-GE3 - 

MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR

Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SIZF906DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZF906DT-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAIR? 6x5F
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIZF906DT-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerWDFN  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TA)  
  系列  TrenchFET? Gen IV  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAIR? 6x5F  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  22nC @ 4.5V,92nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3.8 毫欧 @ 15A,10V,1.17 毫欧 @ 20A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  60A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  2000pF @ 15V,8200pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.2V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  38W(Tc),83W(Tc)  
关键词         

产品资料
数据列表 SiZF906DT
标准包装 1
其它名称 SIZF906DT-T1-GE3CT

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