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SQ1539EH-T1_GE3
SQ1539EH-T1_GE3 -
N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C
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制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SQ1539EH-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ1539EH-T1_GE3-ND
描述:
N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 30V 850mA (Tc) 1.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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SQ1539EH-T1_GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
PowerPAK? SC-70-6 双
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
PowerPAK? SC-70-6 双
FET 类型
N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
850mA(Tc)
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 250μA
漏源电压(Vdss)
30V
功率 - 最大值
1.5W
关键词
产品资料
数据列表
SQ1539EH
标准包装
3,000
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制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 TrenchFET?
Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?
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Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?
包装 带卷(TR)
Vishay Siliconix 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
零件状态 在售
Vishay Siliconix 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 PowerPAK? SC-70-6 双
Vishay Siliconix 供应商器件封装 PowerPAK? SC-70-6 双
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerPAK? SC-70-6 双
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FET 类型 N 和 P 沟道
Vishay Siliconix FET 类型 N 和 P 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 850mA(Tc)
Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 850mA(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 850mA(Tc)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 850mA(Tc)
FET 功能 标准
Vishay Siliconix FET 功能 标准
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA
Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA
漏源电压(Vdss) 30V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 30V
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功率 - 最大值 1.5W
Vishay Siliconix 功率 - 最大值 1.5W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.5W
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