SQ3585EV-T1_GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SQ3585EV-T1_GE3 - 

N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF

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Vishay Siliconix SQ3585EV-T1_GE3
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制造商产品编号:
SQ3585EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3585EV-T1_GE3-ND
描述:
N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.67W Surface Mount 6-TSOP
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SQ3585EV-T1_GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6 细型,TSOT-23-6  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-TSOP  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.5V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  1.67W  
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产品资料
数据列表 SQ3585EV
标准包装 3,000

SQ3585EV-T1_GE3相关搜索

封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6  Vishay Siliconix 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?   包装 带卷(TR)   Vishay Siliconix 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)   Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 6-TSOP  Vishay Siliconix 供应商器件封装 6-TSOP  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-TSOP  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-TSOP   FET 类型 N 和 P 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -   FET 功能 标准  Vishay Siliconix FET 功能 标准  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA   漏源电压(Vdss) 20V  Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V   功率 - 最大值 1.67W  Vishay Siliconix 功率 - 最大值 1.67W  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.67W  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.67W  
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