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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SOIC
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	30nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	35 毫欧 @ 5.9A，10V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	7.5A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1020pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	3.3W
关键词

产品资料

数据列表	SQ4949EY
标准包装	2,500

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Vishay Siliconix 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?   包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOIC  Vishay Siliconix 供应商器件封装 8-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 5.9A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 5.9A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 5.9A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 5.9A，10V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Vishay Siliconix FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Tc）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 25V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 25V   FET 功能 标准  Vishay Siliconix FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 3.3W  Vishay Siliconix 功率 - 最大值 3.3W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 3.3W  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 3.3W