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SQJQ900E-T1_GE3 - 

MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8

Vishay Siliconix SQJQ900E-T1_GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SQJQ900E-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ900E-T1_GE3CT-ND
描述：
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 135W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SQJQ900E-T1_GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  PowerPAK? 8 x 8 双  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAK? 8 x 8 双  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  120nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3.9 毫欧 @ 20A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  100A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  5900pF @ 20V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  40V  
  功率 - 最大值  135W  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 SQJQ900E-T1_GE3CT

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