SQM120P04-04L_GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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SQM120P04-04L_GE3
SQM120P04-04L_GE3 -
MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SQM120P04-04L_GE3
仓库库存编号:
SQM120P04-04L_GE3CT-ND
描述:
MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SQM120P04-04L_GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
330nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4 毫欧 @ 30A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13980pF @ 20V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
375W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
SQM120P04-04L-GE3
标准包装
1
其它名称
SQM120P04-04L_GE3CT
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仓库库存编号:
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别名:IPB180P04P4L02ATMA1CT
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型号:
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