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SQM35N30-97_GE3 - 

N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE

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Vishay Siliconix SQM35N30-97_GE3
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制造商产品编号:
SQM35N30-97_GE3
仓库库存编号:
SQM35N30-97_GE3-ND
描述:
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:
表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SQM35N30-97_GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-263(D2Pak)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  130nC @ 10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  35A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  5650pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  375W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  300V  
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产品资料
数据列表 SQM35N30-97
标准包装 800

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