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SQS405ENW-T1_GE3 - 

P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

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Vishay Siliconix SQS405ENW-T1_GE3
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制造商产品编号:
SQS405ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS405ENW-T1_GE3-ND
描述:
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:
表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SQS405ENW-T1_GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  PowerPAK? 1212-8  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAK? 1212-8  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  75nC @ 8V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  2.5V,4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  16A(Tc)  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  39W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  12V  
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产品资料
数据列表 SQS405EN
标准包装 3,000

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