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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-23
FET 类型	N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4.5pF @ 15V
Power - Max	350mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	200μA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	300mV @ 10nA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	25V
电阻 - RDS（开）	-
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - JFET 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Vishay Siliconix 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 系列 -   包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 包装 带卷（TR）   晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Vishay Siliconix 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23  Vishay Siliconix 供应商器件封装 SOT-23  晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4.5pF @ 15V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4.5pF @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4.5pF @ 15V  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4.5pF @ 15V   Power - Max 350mW  Vishay Siliconix Power - Max 350mW  晶体管 - JFET Power - Max 350mW  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET Power - Max 350mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 200μA @ 15V  Vishay Siliconix 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 200μA @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 200μA @ 15V  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 200μA @ 15V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 300mV @ 10nA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 300mV @ 10nA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 300mV @ 10nA  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 300mV @ 10nA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  Vishay Siliconix 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V   电阻 - RDS（开） -  Vishay Siliconix 电阻 - RDS（开） -  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -