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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	TrenchFET?
包装	带卷（TR）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	TO-220AB
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	160nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	10.5 毫欧 @ 30A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	85A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6550pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250μA
功率耗散（最大值）	3.75W（Ta），250W（Tc）
漏源电压（Vdss）	100V
关键词

产品资料

数据列表	SUP/SUB85N10-10 Packaging Information
标准包装	500
其它名称	SUP85N10-10-E3TR

封装/外壳 TO-220-3  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 通孔  Vishay Siliconix 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET?   包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态  已不再提供  Vishay Siliconix 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 TO-220AB  Vishay Siliconix 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Vishay Siliconix Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.5 毫欧 @ 30A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.5 毫欧 @ 30A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.5 毫欧 @ 30A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10.5 毫欧 @ 30A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Vishay Siliconix 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 85A（Tc）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 85A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 85A（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 85A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6550pF @ 25V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6550pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6550pF @ 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6550pF @ 25V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA   功率耗散（最大值） 3.75W（Ta），250W（Tc）  Vishay Siliconix 功率耗散（最大值） 3.75W（Ta），250W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 3.75W（Ta），250W（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 3.75W（Ta），250W（Tc）   漏源电压（Vdss） 100V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V