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产品规格

封装/外壳	TO-78-6 金属罐
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-78-6
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5pF @ 10V
Power - Max	500mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	12mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	1V @ 1nA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	25V
电阻 - RDS（开）	-
关键词

产品资料

标准包装	100

封装/外壳 TO-78-6 金属罐  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-78-6 金属罐  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-78-6 金属罐  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-78-6 金属罐   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - JFET 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Vishay Siliconix 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 系列 -   包装 管件   Vishay Siliconix 包装 管件   晶体管 - JFET 包装 管件   Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 包装 管件    零件状态 过期  Vishay Siliconix 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-78-6  Vishay Siliconix 供应商器件封装 TO-78-6  晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-78-6  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-78-6   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Vishay Siliconix FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - JFET FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET FET 类型 2 个 N 沟道（双）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5pF @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5pF @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5pF @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5pF @ 10V   Power - Max 500mW  Vishay Siliconix Power - Max 500mW  晶体管 - JFET Power - Max 500mW  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET Power - Max 500mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 12mA @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 12mA @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 12mA @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 12mA @ 10V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 1nA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 1nA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 1nA  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 1nA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  Vishay Siliconix 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V   电阻 - RDS（开） -  Vishay Siliconix 电阻 - RDS（开） -  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -