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U441-E3
U441-E3 -
JFET 2N-CH 25V TO-71
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
U441-E3
仓库库存编号:
U441-E3-ND
描述:
JFET 2N-CH 25V TO-71
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET 2 N-Channel (Dual) 25V 500mW Through Hole
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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U441-E3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-71-6
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
-
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3pF @ 10V
Power - Max
500mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
6mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
1V @ 1nA
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
25V
电阻 - RDS(开)
-
关键词
产品资料
标准包装
200
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封装/外壳 TO-71-6
Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-71-6
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-71-6
Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-71-6
制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - JFET 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 通孔
Vishay Siliconix 安装类型 通孔
晶体管 - JFET 安装类型 通孔
Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
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包装 管件
Vishay Siliconix 包装 管件
晶体管 - JFET 包装 管件
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零件状态 过期
Vishay Siliconix 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
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供应商器件封装 -
Vishay Siliconix 供应商器件封装 -
晶体管 - JFET 供应商器件封装 -
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FET 类型 2 个 N 沟道(双)
Vishay Siliconix FET 类型 2 个 N 沟道(双)
晶体管 - JFET FET 类型 2 个 N 沟道(双)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 10V
Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 10V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 10V
Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 10V
Power - Max 500mW
Vishay Siliconix Power - Max 500mW
晶体管 - JFET Power - Max 500mW
Vishay Siliconix 晶体管 - JFET Power - Max 500mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 6mA @ 10V
Vishay Siliconix 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 6mA @ 10V
晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 6mA @ 10V
Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 6mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1V @ 1nA
Vishay Siliconix 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1V @ 1nA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1V @ 1nA
Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1V @ 1nA
电压 - 击穿(V(BR)GSS) 25V
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