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产品规格

封装/外壳	-
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	14-DIP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	4.5 欧姆 @ 1A，10V
FET 类型	4 个 N 通道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	400mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	60pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	90V
功率 - 最大值	2W
关键词

产品资料

数据列表	VN0808L/LS,VQ1006P
标准包装	25

封装/外壳 -  Vishay Siliconix 封装/外壳 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 -   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 通孔  Vishay Siliconix 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Vishay Siliconix 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 管件   Vishay Siliconix 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 过期  Vishay Siliconix 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 14-DIP  Vishay Siliconix 供应商器件封装 14-DIP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 14-DIP  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 14-DIP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 欧姆 @ 1A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 欧姆 @ 1A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 欧姆 @ 1A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 欧姆 @ 1A，10V   FET 类型 4 个 N 通道  Vishay Siliconix FET 类型 4 个 N 通道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 4 个 N 通道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 4 个 N 通道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 60pF @ 25V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 60pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 60pF @ 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 60pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 90V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 90V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 90V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 90V   功率 - 最大值 2W  Vishay Siliconix 功率 - 最大值 2W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W