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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	WeEn Semiconductors
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220AB
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	13 @ 500mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Power - Max	80W
电流 - 集电极截止（最大值）	1mA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 600mA，3A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	BUJ103A
标准包装	1,000
其它名称	934055158127 BUJ103A BUJ103A-ND

封装/外壳 TO-220-3  WeEn Semiconductors 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 WeEn Semiconductors  WeEn Semiconductors 制造商 WeEn Semiconductors  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 WeEn Semiconductors  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 WeEn Semiconductors   安装类型 通孔  WeEn Semiconductors 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  WeEn Semiconductors 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  WeEn Semiconductors 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   WeEn Semiconductors 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 在售  WeEn Semiconductors 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220AB  WeEn Semiconductors 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB   晶体管类型 NPN  WeEn Semiconductors 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 13 @ 500mA，5V  WeEn Semiconductors 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 13 @ 500mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 13 @ 500mA，5V  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 13 @ 500mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  WeEn Semiconductors Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V   Power - Max 80W  WeEn Semiconductors Power - Max 80W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 80W  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 80W   电流 - 集电极截止（最大值） 1mA（ICBO）  WeEn Semiconductors 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA（ICBO）  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 4A  WeEn Semiconductors Current - Collector (Ic) (Max) 4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 600mA，3A  WeEn Semiconductors 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 600mA，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 600mA，3A  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 600mA，3A   频率 - 跃迁 -  WeEn Semiconductors 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  WeEn Semiconductors 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -