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W9464G6KH-5I
W9464G6KH-5I -
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Winbond Electronics
Winbond Electronics
制造商产品编号:
W9464G6KH-5I
仓库库存编号:
W9464G6KH-5I-ND
描述:
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 55ns 66-TSOP II
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
W9464G6KH-5I产品属性
产品规格
封装/外壳
66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)
制造商
Winbond Electronics
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
电压 - 电源
2.3 V ~ 2.7 V
供应商器件封装
66-TSOP II
存储容量
64Mb (4M x 16)
技术
SDRAM - DDR
时钟频率
200MHz
存储器类型
易失
访问时间
55ns
写周期时间 - 字,页
15ns
存储器格式
DRAM
存储器接口
并联
关键词
产品资料
数据列表
W9464G6KH
标准包装
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Winbond Electronics 存储器 封装/外壳 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)
制造商 Winbond Electronics
Winbond Electronics 制造商 Winbond Electronics
存储器 制造商 Winbond Electronics
Winbond Electronics 存储器 制造商 Winbond Electronics
安装类型 表面贴装
Winbond Electronics 安装类型 表面贴装
存储器 安装类型 表面贴装
Winbond Electronics 存储器 安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
Winbond Electronics 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
存储器 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
Winbond Electronics 存储器 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
系列 -
Winbond Electronics 系列 -
存储器 系列 -
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包装 托盘
Winbond Electronics 包装 托盘
存储器 包装 托盘
Winbond Electronics 存储器 包装 托盘
零件状态 在售
Winbond Electronics 零件状态 在售
存储器 零件状态 在售
Winbond Electronics 存储器 零件状态 在售
电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V
Winbond Electronics 电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V
存储器 电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V
Winbond Electronics 存储器 电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V
供应商器件封装 66-TSOP II
Winbond Electronics 供应商器件封装 66-TSOP II
存储器 供应商器件封装 66-TSOP II
Winbond Electronics 存储器 供应商器件封装 66-TSOP II
存储容量 64Mb (4M x 16)
Winbond Electronics 存储容量 64Mb (4M x 16)
存储器 存储容量 64Mb (4M x 16)
Winbond Electronics 存储器 存储容量 64Mb (4M x 16)
技术 SDRAM - DDR
Winbond Electronics 技术 SDRAM - DDR
存储器 技术 SDRAM - DDR
Winbond Electronics 存储器 技术 SDRAM - DDR
时钟频率 200MHz
Winbond Electronics 时钟频率 200MHz
存储器 时钟频率 200MHz
Winbond Electronics 存储器 时钟频率 200MHz
存储器类型 易失
Winbond Electronics 存储器类型 易失
存储器 存储器类型 易失
Winbond Electronics 存储器 存储器类型 易失
访问时间 55ns
Winbond Electronics 访问时间 55ns
存储器 访问时间 55ns
Winbond Electronics 存储器 访问时间 55ns
写周期时间 - 字,页 15ns
Winbond Electronics 写周期时间 - 字,页 15ns
存储器 写周期时间 - 字,页 15ns
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存储器格式 DRAM
Winbond Electronics 存储器格式 DRAM
存储器 存储器格式 DRAM
Winbond Electronics 存储器 存储器格式 DRAM
存储器接口 并联
Winbond Electronics 存储器接口 并联
存储器 存储器接口 并联
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