产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 446W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS37N50APBF
仓库库存编号:
IRFPS37N50APBF-ND
别名:*IRFPS37N50APBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 298W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA62N25C
仓库库存编号:
FQA62N25CFS-ND
别名:FQA62N25C-ND
FQA62N25CFS
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW4N150
仓库库存编号:
497-10004-5-ND
别名:497-10004-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 19.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF25N80K5
仓库库存编号:
497-13644-5-ND
别名:497-13644-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 650W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH36N60P
仓库库存编号:
IXFH36N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 61.8A(Ta) 400W(Tc) TO-247
型号:
TK62N60X,S1F
仓库库存编号:
TK62N60XS1F-ND
别名:TK62N60X,S1F(S
TK62N60XS1F
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT13F120B
仓库库存编号:
APT13F120B-ND
别名:APT13F120BMI
APT13F120BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXFH80N65X2
仓库库存编号:
IXFH80N65X2-ND
别名:632463
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) 1300W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX98N50P3
仓库库存编号:
IXFX98N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 80A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 1300W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N60P3
仓库库存编号:
IXFK80N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 61A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN64N50P
仓库库存编号:
IXFN64N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 595W(Tc) TO-247 长引线
型号:
FCH023N65S3_F155
仓库库存编号:
FCH023N65S3_F155-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 112A(Tc) 1500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN132N50P3
仓库库存编号:
IXFN132N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK26N120P
仓库库存编号:
IXFK26N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 53A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN60N80P
仓库库存编号:
IXFN60N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 797W(Tc) TO-3P(L)
型号:
TK100L60W,VQ
仓库库存编号:
TK100L60WVQ-ND
别名:TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 53A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE53NC50
仓库库存编号:
497-2776-5-ND
别名:497-2776-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 52A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APL502J
仓库库存编号:
APL502J-ND
别名:APL502JMI
APL502JMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5801TRPBF
仓库库存编号:
IRF5801TRPBFCT-ND
别名:IRF5801TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 900mA(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5802TRPBF
仓库库存编号:
IRF5802TRPBFCT-ND
别名:IRF5802TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 57W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3N50
仓库库存编号:
785-1175-1-ND
别名:785-1175-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ2NK60ZR-AP
仓库库存编号:
497-12345-3-ND
别名:497-12345-3
STQ2NK60ZRAP
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD9N25TM
仓库库存编号:
FQD9N25TMCT-ND
别名:FQD9N25TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM
仓库库存编号:
FQD8P10TMCT-ND
别名:FQD8P10TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tc) 1.5W(Tc) TO-92-3
型号:
FQNL2N50BTA
仓库库存编号:
FQNL2N50BTACT-ND
别名:FQNL2N50BTACT
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