产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
STD3NK90ZT4
仓库库存编号:
497-12785-1-ND
别名:497-12785-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 147W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP7N60NZ
仓库库存编号:
FDP7N60NZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4N80TM
仓库库存编号:
FQB4N80TMCT-ND
别名:FQB4N80TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
RDD050N20TL
仓库库存编号:
RDD050N20TLCT-ND
别名:RDD050N20TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.7A
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4P40TM_AM002
仓库库存编号:
FQD4P40TM_AM002CT-ND
别名:FQD4P40TM_AM002CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK5P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK5P60WRVQCT-ND
别名:TK5P60WRVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3045
仓库库存编号:
2SK3045-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
库存产品核实请求
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
2SK3564(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
2SK3564(STA4QM)-ND
别名:2SK3564(Q)
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564(STA4Q)-ND
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564Q-ND
2SK3564STA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R5011FNJTL
仓库库存编号:
R5011FNJTLCT-ND
别名:R5011FNJTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 350W(Tc) D2PAK-7
型号:
IRFS4321TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS4321TRL7PPCT-ND
别名:IRFS4321TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 110W(Tc)
型号:
IRFR430ATRPBF
仓库库存编号:
IRFR430ATRPBFCT-ND
别名:IRFR430ATRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 200V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 35W(Tc) TO-220F-3
型号:
FDPF18N20FT_G
仓库库存编号:
FDPF18N20FT_G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 34.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF8N60ZUT
仓库库存编号:
FDPF8N60ZUT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 3.13W(Ta),142W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N60TM
仓库库存编号:
FQB7N60TMCT-ND
别名:FQB7N60TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 250W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB28N30TM
仓库库存编号:
FDB28N30TMCT-ND
别名:FDB28N30TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25.5A(Tc) 3.13W(Ta),180W(Tc) I2PAK
型号:
FQI27N25TU
仓库库存编号:
FQI27N25TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
FCD7N60TM_WS
仓库库存编号:
FCD7N60TM_WSCT-ND
别名:FCD7N60TM_WSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB7NK80ZT4
仓库库存编号:
497-6557-1-ND
别名:497-6557-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 42W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL7N80K5
仓库库存编号:
497-14059-1-ND
别名:497-14059-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 3.13W(Ta),158W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB6N80TM
仓库库存编号:
FQB6N80TMCT-ND
别名:FQB6N80TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 6A
详细描述:通孔 P 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF9P25YDTU
仓库库存编号:
FQPF9P25YDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Tc) 165W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB12N50TM
仓库库存编号:
FDB12N50TMCT-ND
别名:FDB12N50TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
型号:
TK14G65W5,RQ
仓库库存编号:
TK14G65W5RQCT-ND
别名:TK14G65W5RQCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 2.4W(Ta),330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB61N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB61N15DPBF-ND
别名:*IRFB61N15DPBF
SP001560242
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS
型号:
RCJ300N20TL
仓库库存编号:
RCJ300N20TLCT-ND
别名:RCJ300N20TLCT
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