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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ22N60P3
  仓库库存编号：IXFQ22N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK16C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16C60WS1VQ-ND
  别名：TK16C60W,S1VQ(S
  TK16C60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB22N65E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：TK16N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK16N60WS1VF-ND
  别名：TK16N60W,S1VF(S
  TK16N60WS1VF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK16J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16J60WS1VQ-ND
  别名：TK16J60W,S1VQ(O
  TK16J60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ28N60P3
  仓库库存编号：IXFQ28N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK20C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK20C60WS1VQ-ND
  别名：TK20C60W,S1VQ(S
  TK20C60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220D-A1
  
  型号：2SK3892
  仓库库存编号：2SK3892-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ30N60X
  仓库库存编号：IXFQ30N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 312W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB36N60NTM
  仓库库存编号：FCB36N60NTMCT-ND
  别名：FCB36N60NTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH34N50P3
  仓库库存编号：IXFH34N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ34N50P3
  仓库库存编号：IXFQ34N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH26N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH26N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH26N60EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N50P3
  仓库库存编号：IXFQ50N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH24N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH24N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT60N50P3
  仓库库存编号：IXFT60N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA05N100HV
  仓库库存编号：IXTA05N100HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N50P3
  仓库库存编号：IXFT50N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX64N50P
  仓库库存编号：IXFX64N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43M60B2
  仓库库存编号：APT43M60B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 690W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT15N100Q3
  仓库库存编号：IXFT15N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43F60B2
  仓库库存编号：APT43F60B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR15N100Q3
  仓库库存编号：IXFR15N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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