产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ1HNK60R-AP
仓库库存编号:
497-15648-1-ND
别名:497-15648-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.7A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NDD05N50ZT4G
仓库库存编号:
NDD05N50ZT4GOSCT-ND
别名:NDD05N50ZT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N80TM
仓库库存编号:
FQD2N80TMCT-ND
别名:FQD2N80TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD6N62K3
仓库库存编号:
497-8480-1-ND
别名:497-8480-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840APBF
仓库库存编号:
IRF840APBF-ND
别名:*IRF840APBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP3NK90Z
仓库库存编号:
497-12789-5-ND
别名:497-12789-5
STP3NK90Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Ta) 2W(Ta),20W(Tc) TO-220-3
型号:
NDFPD1N150CG
仓库库存编号:
NDFPD1N150CGOS-ND
别名:NDFPD1N150CGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 11.5A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP12P20
仓库库存编号:
FQP12P20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60E,S4X
仓库库存编号:
TK10A60ES4X-ND
别名:TK10A60E,S4X(S
TK10A60E,S5X
TK10A60E,S5X(M
TK10A60ES4X
TK10A60ES4X(S
TK10A60ES4X(S-ND
TK10A60ES5X
TK10A60ES5X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF18N50
仓库库存编号:
FDPF18N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF8N80K5
仓库库存编号:
497-13645-5-ND
别名:497-13645-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60ATRLPBF
仓库库存编号:
IRFS9N60ATRLPBFCT-ND
别名:IRFS9N60ATRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 36A(Tc) 294W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA36P15
仓库库存编号:
FQA36P15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 320W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP51N25
仓库库存编号:
FDP51N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N95K5
仓库库存编号:
497-12854-5-ND
别名:497-12854-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90C_F109
仓库库存编号:
FQA11N90C_F109-ND
别名:FQA11N90CF109
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF15N65
仓库库存编号:
FDPF15N65-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 278W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP25N40D-GE3
仓库库存编号:
SIHP25N40D-GE3-ND
别名:SIHP25N40DGE3
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 250W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK9J90E,S1E
仓库库存编号:
TK9J90ES1E-ND
别名:TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60E-GE3-ND
别名:SIHB22N60EGE3
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 388W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA20N50F
仓库库存编号:
FDA20N50F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N60P3
仓库库存编号:
IXFH22N60P3-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4668PBF
仓库库存编号:
IRFP4668PBF-ND
别名:AUXSNFP4668
AUXSNFP4668-ND
SP001572854
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT28M120B2
仓库库存编号:
APT28M120B2-ND
别名:APT28M120B2MI
APT28M120B2MI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 42A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT41F100J
仓库库存编号:
APT41F100J-ND
别名:APT41F100JMI
APT41F100JMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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