产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
(204)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(204)
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Microsemi Corporation (204)
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60DAM24T1G
仓库库存编号:
APTC60DAM24T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA
型号:
JANTX2N6804
仓库库存编号:
1088-1031-ND
别名:1088-1031
1088-1031-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90SKM60T1G
仓库库存编号:
APTC90SKM60T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90DAM60T1G
仓库库存编号:
APTC90DAM60T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60SKM24CT1G
仓库库存编号:
APTC60SKM24CT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90DAM60CT1G
仓库库存编号:
APTC90DAM60CT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90SKM60CT1G
仓库库存编号:
APTC90SKM60CT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 156W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT11N80KC3G
仓库库存编号:
APT11N80KC3G-ND
别名:APT11N80KC3GMI
APT11N80KC3GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 17A(Tc) 208W(Tc) TO-247-3
型号:
APT17N80BC3G
仓库库存编号:
APT17N80BC3G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 17A(Tc) 208W(Tc) D3Pak
型号:
APT17N80SC3G
仓库库存编号:
APT17N80SC3G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) TO-247-3
型号:
APT20N60BC3G
仓库库存编号:
APT20N60BC3G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) D3Pak
型号:
APT20N60SC3G
仓库库存编号:
APT20N60SC3G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 31A(Tc) 833W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT31N80JC3
仓库库存编号:
APT31N80JC3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 52A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCU2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 72A(Tc) 416W(Tc) SP1
型号:
APTC60DAM35T1G
仓库库存编号:
APTC60DAM35T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 72A(Tc) 416W(Tc) SP1
型号:
APTC60SKM35T1G
仓库库存编号:
APTC60SKM35T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 38A(Tc) 278W(Tc) D3Pak
型号:
APT38N60SC6
仓库库存编号:
APT38N60SC6-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JAN2N6756
仓库库存编号:
JAN2N6756-ND
别名:JAN2N6756-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JAN2N6758
仓库库存编号:
JAN2N6758-ND
别名:JAN2N6758-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JAN2N6760
仓库库存编号:
JAN2N6760-ND
别名:JAN2N6760-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JAN2N6762
仓库库存编号:
JAN2N6762-ND
别名:JAN2N6762-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 38A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc)
型号:
JAN2N6764
仓库库存编号:
JAN2N6764-ND
别名:JAN2N6764-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 38A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-254AA
型号:
JAN2N6764T1
仓库库存编号:
JAN2N6764T1-ND
别名:JAN2N6764T1-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 30A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-3
型号:
JAN2N6766
仓库库存编号:
JAN2N6766-ND
别名:JAN2N6766-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述:通孔 N 沟道 200V 30A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-254AA
型号:
JAN2N6766T1
仓库库存编号:
JAN2N6766T1-ND
别名:JAN2N6766T1-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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