产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix (2072)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 75A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA04EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA04EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA04EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 13A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ454EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ454EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ454EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 23A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISS71DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS71DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS71DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 32A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 80V 32A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ479EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ479EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ479EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS460EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS460EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS460EN-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ407EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ407EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR644DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR644DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR644DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 20.2A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SIS888DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS888DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS888DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 51.6A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 51.6A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR622DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR622DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR622DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR642DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR642DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR642DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR640ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR640ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR640ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 42A(Tc) 65.2W(Tc) TO-252AA
型号:
SUD80460E-GE3
仓库库存编号:
SUD80460E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU420PBF
仓库库存编号:
IRFU420PBF-ND
别名:*IRFU420PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 32A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ412EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ412EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1-GE3CT-ND
SQJ412EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU320PBF
仓库库存编号:
IRFU320PBF-ND
别名:*IRFU320PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 100V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 136W(Tc) TO-252
型号:
SQD40P10-40L_GE3
仓库库存编号:
SQD40P10-40L_GE3CT-ND
别名:SQD40P10-40L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9014PBF
仓库库存编号:
IRFU9014PBF-ND
别名:*IRFU9014PBF
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU220PBF
仓库库存编号:
IRFU220PBF-ND
别名:*IRFU220PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
详细描述:通孔 N 沟道 86A(Tc) 136W(Tc) D-PAK(TO-252)
型号:
SQR70090ELR_GE3
仓库库存编号:
SQR70090ELR_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU310PBF
仓库库存编号:
IRFU310PBF-ND
别名:*IRFU310PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z10PBF
仓库库存编号:
IRF9Z10PBF-ND
别名:*IRF9Z10PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP50N10-21P-GE3
仓库库存编号:
SUP50N10-21P-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM50020EL-GE3
仓库库存编号:
SUM50020EL-GE3CT-ND
别名:SUM50020EL-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 131A D2PK TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 131A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70060E-GE3
仓库库存编号:
SUM70060E-GE3TR-ND
别名:SUM70060E-GE3TR
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 131A D2PK TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 131A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70060E-GE3
仓库库存编号:
SUM70060E-GE3CT-ND
别名:SUM70060E-GE3-ND
SUM70060E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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