产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(2081)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(2081)
筛选品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division (9)
Vishay Siliconix (2072)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N10-09-E3
仓库库存编号:
SUM110N10-09-E3CT-ND
别名:SUM110N10-09-E3-ND
SUM110N10-09-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7439DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7439DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7439DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7431DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7431DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7431DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7431DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7431DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7431DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP240PBF
仓库库存编号:
IRFP240PBF-ND
别名:*IRFP240PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),272W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P06-08L-E3
仓库库存编号:
SUM110P06-08L-E3CT-ND
别名:SUM110P06-08L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 75A(Tc) 3.75W(Ta),187W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP75P03-07-E3
仓库库存编号:
SUP75P03-07-E3-ND
别名:SUP75P0307E3
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P04-04L-E3
仓库库存编号:
SUM110P04-04L-E3CT-ND
别名:SUM110P04-04L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N06-3M9H-E3
仓库库存编号:
SUM110N06-3M9H-E3CT-ND
别名:SUM110N06-3M9H-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP460PBF
仓库库存编号:
IRFP460PBF-ND
别名:*IRFP460PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
详细描述:表面贴装 P 沟道 185mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
TP0610K-T1-GE3
仓库库存编号:
TP0610K-T1-GE3CT-ND
别名:TP0610K-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2304BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2304BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2304BDS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1W(Ta),2.3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2303CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2303CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2303CDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Tc) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3456DDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3456DDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3456DDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Tc) 1.1W(Ta),1.8W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2307CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2307CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2307CDS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mA(Ta) 280mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1330EDL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1330EDL-T1-E3CT-ND
别名:SI1330EDL-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Tc) 3.6W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3474DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3474DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3474DV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 3.3W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SQ1421EDH-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ1421EDH-T1_GE3CT-ND
别名:SQ1421EDH-T1_GE3CT
SQ1421EEH-T1-GE3CT
SQ1421EEH-T1-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB456DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB456DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB456DK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1480DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1480DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1480DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3421DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3421DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3421DV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2318DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2318DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2318DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2392ADS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2392ADS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2392ADS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3469DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3469DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3469DV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2343DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2343DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2343DS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号