产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(2081)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(2081)
筛选品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division (9)
Vishay Siliconix (2072)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 3W(Tc)
型号:
SQ2362ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2362ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.16A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2306BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2306BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2306BDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 2W(Tc)
型号:
SQ2361AEES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2361AEES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2361AEES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5419DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5419DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5419DU-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.16A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2306BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2306BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2306BDS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 1.25W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2316BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2316BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2316BDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 1.25W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2316BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2316BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2316BDS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 4W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3456BEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3456BEV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3456BEV-T1-GE3CT
SQ3456BEV-T1-GE3CT-ND
SQ3456BEV-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 40V SO23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2389ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2389ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2389ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL110TRPBF
仓库库存编号:
IRFL110PBFCT-ND
别名:*IRFL110TRPBF
IRFL110PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014TRPBF
仓库库存编号:
IRFL014PBFCT-ND
别名:*IRFL014TRPBF
IRFL014PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA466EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA466EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA466EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3427AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3427AEEV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3427AEEV-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA416DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA416DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA416DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.4A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4435DDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4435DDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4435DDY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220TRPBF
仓库库存编号:
IRFR220PBFCT-ND
别名:*IRFR220TRPBF
IRFR220PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4174DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4174DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4174DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 3.5W(Ta),27.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7619DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7619DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7619DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 3.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR836DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR836DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR836DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS27DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS27DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS27DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 62W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7414AEN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7414AEN-T1_GE3CT-ND
别名:SQ7414AEN-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.4A(Tc) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252
型号:
SUD08P06-155L-GE3
仓库库存编号:
SUD08P06-155L-GE3CT-ND
别名:SUD08P06-155L-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9014PBFCT-ND
别名:*IRFR9014TRPBF
IRFR9014PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 420MA SC70
详细描述:表面贴装 P 沟道 420mA(Ta) 1W(Ta)
型号:
SI1411DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1411DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1411DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号