以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3440DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3440DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3440DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF6216TRPBF
  仓库库存编号：IRF6216TRPBFCT-ND
  别名：IRF6216TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR6215TRPBF
  仓库库存编号：IRFR6215TRPBFCT-ND
  别名：IRFR6215TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC109N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC109N10NS3 GCT
  BSC109N10NS3 GCT-ND
  BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1018ETRPBF
  仓库库存编号：IRFR1018ETRPBFCT-ND
  别名：IRFR1018ETRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4884BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4884BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4884BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7820DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7820DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7820DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8453LZ
  仓库库存编号：FDD8453LZCT-ND
  别名：FDD8453LZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 215mA（Ta） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TN5325N3-G
  仓库库存编号：TN5325N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4615TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR4615TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR4615TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR468DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR468DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR468DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS468DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS468DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS468DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3545N8-G
  仓库库存编号：DN3545N8-GCT-ND
  别名：DN3545N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC027N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC027N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC027N04LS GCT
  BSC027N04LS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），60A（Tc） 66W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD18543Q3AT
  仓库库存编号：296-45302-1-ND
  别名：296-45302-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4164DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4164DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4164DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta），32A（Tc） 95W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD3682
  仓库库存编号：FDD3682CT-ND
  别名：FDD3682CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR418DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR418DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR418DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 3.1W（Ta），43W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8647L
  仓库库存编号：FDD8647LCT-ND
  别名：FDD8647LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：MMSF3P02HDR2G
  仓库库存编号：MMSF3P02HDR2GOSCT-ND
  别名：MMSF3P02HDR2GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD04N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD04N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD04N50C3ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0104N3-G
  仓库库存编号：VN0104N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Ta），35A（Tc） 1.26W（Ta），32.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4815N-35G
  仓库库存编号：NTD4815N-35GOS-ND
  别名：NTD4815N-35G-ND
  NTD4815N-35GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD600N60Z
  仓库库存编号：FCD600N60ZCT-ND
  别名：FCD600N60ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD23N06-31L-E3
  仓库库存编号：SUD23N06-31L-E3CT-ND
  别名：SUD23N06-31L-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索