产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 7.5W(Ta),65.2W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-09P-E3CT-ND
别名:SUD50N03-09P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y4R8-60EX
仓库库存编号:
1727-1487-1-ND
别名:1727-1487-1
568-10967-1
568-10967-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),35A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) Power56
型号:
FDMS8680
仓库库存编号:
FDMS8680CT-ND
别名:FDMS8680CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC057N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC057N08NS3 GCT
BSC057N08NS3 GCT-ND
BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3607TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3607TRPBFCT-ND
别名:IRFR3607TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC500N20NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC500N20NS3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2540N3-G
仓库库存编号:
DN2540N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP0104N3-G
仓库库存编号:
VP0104N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 143W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4510TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4510TRPBFCT-ND
别名:IRFR4510TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF640NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF640NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD06N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD06N80C3ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.67A(Ta) 3W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN4310GTA
仓库库存编号:
ZVN4310GCT-ND
别名:ZVN4310G
ZVN4310GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3504ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3504ZPBFCT-ND
别名:*IRFR3504ZTRPBF
IRFR3504ZPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3710ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3710ZTRPBFCT-ND
别名:IRFR3710ZTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 12.6A(Ta) 1.79W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO301SP H
仓库库存编号:
BSO301SP HCT-ND
别名:BSO301SP HCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.6W(Ta),57W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH1110FNH,L1Q
仓库库存编号:
TPH1110FNHL1QCT-ND
别名:TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD26NF10
仓库库存编号:
497-7963-1-ND
别名:497-7963-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 32.1A(Tc) 7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4062DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4062DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4062DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 40A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD40N06-14L_GE3
仓库库存编号:
SQD40N06-14L_GE3CT-ND
别名:SQD40N06-14L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN022-30PL,127
仓库库存编号:
1727-5893-ND
别名:1727-5893
568-7512-5
568-7512-5-ND
934063985127
PSMN022-30PL,127-ND
PSMN02230PL127
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Ta),71A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC123N10LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC123N10LSGATMA1CT-ND
别名:BSC123N10LS GCT
BSC123N10LS GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),50A(Tc) 135W(Tc) D-Pak
型号:
FDD10AN06A0
仓库库存编号:
FDD10AN06A0CT-ND
别名:FDD10AN06A0CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),20A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) Power33
型号:
FDMC86102
仓库库存编号:
FDMC86102CT-ND
别名:FDMC86102CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN4206A
仓库库存编号:
ZVN4206A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN4206AV
仓库库存编号:
ZVN4206AV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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