产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(14495)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(14495)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (538)
Microchip Technology (141)
Diodes Incorporated (673)
Infineon Technologies (4378)
IXYS (1103)
IXYS Integrated Circuits Division (5)
Micro Commercial Co (18)
Microsemi Corporation (204)
Nexperia USA Inc. (591)
NXP USA Inc. (247)
Fairchild/Micross Components (2)
Fairchild/ON Semiconductor (1342)
ON Semiconductor (1298)
Panasonic Electronic Components (31)
Renesas Electronics America (232)
Rohm Semiconductor (263)
Sanken (85)
STMicroelectronics (588)
Taiwan Semiconductor Corporation (268)
Texas Instruments (99)
Torex Semiconductor Ltd (4)
Toshiba Semiconductor and Storage (304)
Vishay Semiconductor Diodes Division (9)
Vishay Siliconix (2072)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 200V SO8L
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ431EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ431EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ431EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ48NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ48NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 3.75W(Ta),127W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB33N10LTM
仓库库存编号:
FQB33N10LTMCT-ND
别名:FQB33N10LTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 23A(Tc) 3.1W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9540NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9540NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9540NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5305STRLPBF
仓库库存编号:
IRF5305STRLPBFCT-ND
别名:IRF5305STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 700mA(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9110PBF
仓库库存编号:
IRFD9110PBF-ND
别名:*IRFD9110PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta),20A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
型号:
FDMS2672
仓库库存编号:
FDMS2672CT-ND
别名:FDMS2672CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR880ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR880ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),50A(Tc) 135W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD16AN08A0
仓库库存编号:
FDD16AN08A0CT-ND
别名:FDD16AN08A0CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 2.8W(Ta), 83W(Tc) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD19537Q3T
仓库库存编号:
296-42632-1-ND
别名:296-42632-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 280mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP2106A
仓库库存编号:
ZVP2106A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU110PBF
仓库库存编号:
IRFU110PBF-ND
别名:*IRFU110PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410L-G
仓库库存编号:
VN2410L-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 450mA(Ta) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0104N3-G
仓库库存编号:
TN0104N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 63A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5864NG
仓库库存编号:
NTP5864NGOS-ND
别名:NTP5864NG-ND
NTP5864NGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5670
仓库库存编号:
FDS5670CT-ND
别名:FDS5670CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 19A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z34NPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NPBF-ND
别名:*IRF9Z34NPBF
SP001560182
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N04LS G
仓库库存编号:
BSC016N04LS GCT-ND
别名:BSC016N04LS GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF710PBF
仓库库存编号:
IRF710PBF-ND
别名:*IRF710PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD014PBF
仓库库存编号:
IRFD014PBF-ND
别名:*IRFD014PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 4A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9510PBF
仓库库存编号:
IRF9510PBF-ND
别名:*IRF9510PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9014PBF
仓库库存编号:
IRFD9014PBF-ND
别名:*IRFD9014PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 158W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN0R7-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2514-1-ND
别名:1727-2514-1
568-12952-1
568-12952-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),90A(Tc) 2.2W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB028N06NN3 G
仓库库存编号:
BSB028N06NN3 GCT-ND
别名:BSB028N06NN3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.8A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520PBF
仓库库存编号:
IRF9520PBF-ND
别名:*IRF9520PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号