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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB015N04L G
  仓库库存编号：IPB015N04L GCT-ND
  别名：IPB015N04L GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
  别名：SQM120N10-3M8_GE3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
  别名：SQM120N10-3M8_GE3-ND
  SQM120N10-3M8_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB40NF20
  仓库库存编号：497-5804-1-ND
  别名：497-5804-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE818DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE818DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE818DF-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532
  仓库库存编号：FDB2532CT-ND
  别名：FDB2532CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 255W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB060AN08A0
  仓库库存编号：FDB060AN08A0CT-ND
  别名：FDB060AN08A0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF5210PBF
  仓库库存编号：IRF5210PBF-ND
  别名：*IRF5210PBF
  SP001559642
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB019N06L3 G
  仓库库存编号：IPB019N06L3 GCT-ND
  别名：IPB019N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），124A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7769L1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7769L1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7769L1TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 234W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB110N15A
  仓库库存编号：FDB110N15ACT-ND
  别名：FDB110N15ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18532KCS
  仓库库存编号：296-34941-5-ND
  别名：296-34941-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB011N04L G
  仓库库存编号：IPB011N04L GCT-ND
  别名：IPB011N04L GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C404NT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C404NT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5C404NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 42A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 42A（Tc） 170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF4905LPBF
  仓库库存编号：IRF4905LPBF-ND
  别名：64-2156PBF
  64-2156PBF-ND
  SP001563376
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRFS3004TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS3004TRL7PPCT-ND
  别名：IRFS3004TRL7PPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB016N06L3 G
  仓库库存编号：IPB016N06L3 GCT-ND
  别名：IPB016N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R8-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4388-ND
  别名：1727-4388
  568-5234
  568-5234-5
  568-5234-5-ND
  568-5234-ND
  934064002127
  PSMN1R830PL127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta），270A（Tc） 3.8W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7739L1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7739L1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7739L1TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP064NPBF
  仓库库存编号：IRFP064NPBF-ND
  别名：*IRFP064NPBF
  SP001554926
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 9.2A（Ta），53A（Tc） 3.1W（Ta），104.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP53P06-20-E3
  仓库库存编号：SUP53P06-20-E3-ND
  别名：SUP53P0620E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tc） H-PSOF-8-1
  
  型号：IPLU300N04S4R8XTMA1
  仓库库存编号：IPLU300N04S4R8XTMA1CT-ND
  别名：IPLU300N04S4R8XTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：STP140N6F7
  仓库库存编号：497-15890-5-ND
  别名：497-15890-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB025N08N3 G
  仓库库存编号：IPB025N08N3 GCT-ND
  别名：IPB025N08N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R5-80PS,127
  仓库库存编号：1727-5282-ND
  别名：1727-5282
  568-6710
  568-6710-5
  568-6710-5-ND
  568-6710-ND
  934065169127
  PSMN3R580PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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