产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG50PBF
仓库库存编号:
IRFPG50PBF-ND
别名:*IRFPG50PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP57N20-33-E3
仓库库存编号:
SUP57N20-33-E3-ND
别名:SUP57N2033E3
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP01N100D
仓库库存编号:
IXTP01N100D-ND
别名:607074
Q1614635
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 85A(Tc) 2.4W(Ta),300W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP85N15-21-E3
仓库库存编号:
SUP85N15-21-E3-ND
别名:SUP85N15-21-E3CT
SUP85N15-21-E3CT-ND
SUP85N1521E3
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 42W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA17N80C3
仓库库存编号:
SPA17N80C3IN-ND
别名:SP000216353
SPA17N80C3IN
SPA17N80C3X
SPA17N80C3XK
SPA17N80C3XKSA1
SPA17N80C3XTIN
SPA17N80C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 209A(Tc) 470W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP2907PBF
仓库库存编号:
IRFP2907PBF-ND
别名:*IRFP2907PBF
SP001571058
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60C3
仓库库存编号:
SPW20N60C3IN-ND
别名:SP000013729
SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) TO-247
型号:
FDH3632
仓库库存编号:
FDH3632FS-ND
别名:FDH3632-ND
FDH3632FS
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP075N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP075N15N3GXKSA1-ND
别名:IPP075N15N3 G
IPP075N15N3 G-ND
IPP075N15N3G
SP000680832
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW17N80C3
仓库库存编号:
SPW17N80C3IN-ND
别名:SP000013369
SPW17N80C3FKSA1
SPW17N80C3IN
SPW17N80C3X
SPW17N80C3XK
SPW17N80C3XTIN
SPW17N80C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 625W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA50N50
仓库库存编号:
FDA50N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 35W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R099C6
仓库库存编号:
IPA60R099C6-ND
别名:IPA60R099C6XKSA1
SP000658000
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R099C6
仓库库存编号:
IPP60R099C6-ND
别名:IPP60R099C6XKSA1
SP000687556
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4010PBF
仓库库存编号:
IRFSL4010PBF-ND
别名:SP001567760
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
FCH104N60F
仓库库存编号:
FCH104N60F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP120N20NFDAKSA1
仓库库存编号:
IPP120N20NFDAKSA1-ND
别名:SP001108122
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP6N50D2
仓库库存编号:
IXTP6N50D2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA6N50D2
仓库库存编号:
IXTA6N50D2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Ta) 187W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8030L
仓库库存编号:
FDP8030LFS-ND
别名:FDP8030L-ND
FDP8030LFS
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R110CFD
仓库库存编号:
IPW65R110CFD-ND
别名:IPW65R110CFDFKSA1
SP000895232
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099C6
仓库库存编号:
IPW60R099C6-ND
别名:IPW60R099C6FKSA1
SP000641908
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP110N20N3 G
仓库库存编号:
IPP110N20N3 G-ND
别名:IPP110N20N3G
IPP110N20N3GXKSA1
SP000677892
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH10P50P
仓库库存编号:
IXTH10P50P-ND
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH26P20P
仓库库存编号:
IXTH26P20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH8P50
仓库库存编号:
IXTH8P50-ND
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